这种需求在电力电子行业尤为突出,新一代功率器件碳化硅(sic)技术应用与生产的增长,推动了对更高测量精度的需求。dlm5000hd 系列支持多通道测量并提升了垂直轴的分辨率,从而满足了这些需求。
芯联集成从2021年起开始投入碳化硅mosfet芯片、模组封装技术的研发和产能建设,公司在两年时间内完成了三轮技术迭代,碳化硅mosfet的器件性能已经与国际先进水平同步,是国内规模化量产最大的碳化硅mosfet
深入开展新型电子材料“融链”工程,支持东营、烟台、滨州、聊城等市向集成电路材料、新型显示基础材料等领域拓展,支持济南、德州等市提升大尺寸硅片、碳化硅衬底产能,支持淄博等市提升集成电路关键封装材料产能。...深入开展先进计算“固链”工程,支持济南市、青岛市加快关键器件、基础软件迭代升级,支持威海等市围绕打印机等计算机外设产品招引关键零部件制造企业。
深入开展新型电子材料“融链”工程,支持东营、烟台、滨州、聊城等市向集成电路材料、新型显示基础材料等领域拓展,支持济南、德州等市提升大尺寸硅片、碳化硅衬底产能,支持淄博等市提升集成电路关键封装材料产能。...深入开展先进计算“固链”工程,支持济南市、青岛市加快关键器件、基础软件迭代升级,支持威海等市围绕打印机等计算机外设产品招引关键零部件制造企业。
重点方向:特种结构材料、高性能膜和催化材料、二维材料、超材料、氮化镓及碳化硅等第三代半导体材料、特种纤维材料等。集成电路。...重点在新架构、新方法、新工具、新器件等方面形成重大突破,为超越摩尔定律提供原创理论和技术路线。重点方向:硅基异质集成芯片、碳基芯片、光电芯片、(超)宽禁带半导体技术基础、eda设计技术基础等。
在储能市场规模爆发式增长的背景下,国电南自联合中国电科旗下的国基南方,围绕关键核心技术开展央企联合攻关,实现了功率电子核心器件自主可控。...12月7日,中国电工技术学会在南京组织召开科技成果鉴定会,国电南自主持研发的“全国产化碳化硅功率模块的构网型储能变流器与控制关键技术及应用”成果顺利通过鉴定并正式发布。
随着装置核心器件的国产化应用,其成本进一步下探,已具备大规模推广应用条件。...现场联调结果的成功,标志着首台基于国产sic-mosfet(碳化硅场效应管)的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运,处于国际领先水平。
高标准建设国家第三代半导体技术创新中心,加快推动碳化硅、氮化镓单晶衬底及外延材料制备技术升级和应用延伸,大力发展电力电子器件、微波射频器件、光电子器件等产品,超前布局发展氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料
重点方向:特种结构材料、高性能膜和催化材料、二维材料、超材料、氮化镓及碳化硅等第三代半导体材料、特种纤维材料等。集成电路。...重点在新架构、新方法、新工具、新器件等方面形成重大突破,为超越摩尔定律提供原创理论和技术路线。重点方向:硅基异质集成芯片、碳基芯片、光电芯片、(超)宽禁带半导体技术基础、eda设计技术基础等。
重点方向:特种结构材料、高性能膜和催化材料、二维材料、超材料、氮化镓及碳化硅等第三代半导体材料、特种纤维材料等。集成电路。...重点在新架构、新方法、新工具、新器件等方面形成重大突破,为超越摩尔定律提供原创理论和技术路线。重点方向:硅基异质集成芯片、碳基芯片、光电芯片、(超)宽禁带半导体技术基础、eda设计技术基础等。